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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB

总分
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AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

总分
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Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB

Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB

差异 规格 评论

差异

AMD R5S38G1601U2S 8GB 需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    31 left arrow 37
    左右 -19% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.4 left arrow 15.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    10.5 left arrow 9.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 12800
    左右 1.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    37 left arrow 31
  • 读取速度，GB/s
    15.4 left arrow 16.4
  • 写入速度，GB/s
    9.2 left arrow 10.5
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2581 left arrow 3039

AMD R5S38G1601U2S 8GB RAM的比较

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内存RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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内存RAM
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内存RAM
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