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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
比较
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
总分
AMD R5S38G1601U2S 8GB
总分
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.4
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.2
8.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
37
左右 -19% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
31
读取速度,GB/s
15.4
11.4
写入速度,GB/s
9.2
8.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
2371
AMD R5S38G1601U2S 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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最新比较
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Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
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