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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
比较
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
总分
AMD R5S38G1601U2S 8GB
总分
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
37
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
34
读取速度,GB/s
15.4
16.4
写入速度,GB/s
9.2
12.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
2616
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
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Kingston KMKYF9-MID 8GB
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G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
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