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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
54
左右 -80% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
30
读取速度,GB/s
9.2
17.9
写入速度,GB/s
8.1
13.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
3332
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
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Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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AMD R538G1601U2S 8GB
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
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