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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
比较
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
总分
AMD R5S38G1601U2S 8GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.4
10.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
37
左右 -23% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.5
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
30
读取速度,GB/s
15.4
10.3
写入速度,GB/s
9.2
9.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
1651
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Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
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