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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
比较
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
总分
AMD R5S38G1601U2S 8GB
总分
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
37
左右 -12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
33
读取速度,GB/s
15.4
16.0
写入速度,GB/s
9.2
12.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
2947
AMD R5S38G1601U2S 8GB RAM的比较
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AMD R538G1601U2S 8GB
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V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
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