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Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB

Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB vs SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB

总分
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Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB

Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB

总分
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SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB

差异 规格 评论

差异

Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB 需要考虑的原因
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    26 left arrow 34
    左右 24% 更低的延时
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB 需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.4 left arrow 13.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.6 left arrow 8.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 10600
    左右 2.01 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    26 left arrow 34
  • 读取速度，GB/s
    13.4 left arrow 15.4
  • 写入速度，GB/s
    8.4 left arrow 11.6
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2050 left arrow 2786

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Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
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内存RAM
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
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G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
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内存RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
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内存RAM
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
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Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
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内存RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
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内存RAM
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
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Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
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内存RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
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内存RAM
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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内存RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Kingston 9965589-024.D01G 16GB
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