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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
48
左右 -85% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.5
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.8
5.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
48
26
读取速度,GB/s
8.9
13.5
写入速度,GB/s
5.9
7.8
内存带宽,mbps
10600
10600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
1932
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB RAM的比较
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Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
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Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
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