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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Compara
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
48
En -85% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.5
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.8
5.9
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
48
26
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
13.5
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
7.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
10600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
1932
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
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