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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
48
Rund um -85% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.5
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
48
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
13.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
7.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
10600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1420
1932
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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