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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
比较
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
总分
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
总分
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
47
左右 -68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.2
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
28
读取速度,GB/s
11.8
19.2
写入速度,GB/s
9.2
15.0
内存带宽,mbps
19200
21300
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2323
3532
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
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