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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB

总分
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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

总分
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB

差异 规格 评论

差异

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB 需要考虑的原因
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
报告一个错误
  • 更快的写入速度，GB/s
    9.2 left arrow 7.0
    测试中的平均数值
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB 需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    21 left arrow 47
    左右 -124% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.3 left arrow 11.8
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 19200
    左右 1.11 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    47 left arrow 21
  • 读取速度，GB/s
    11.8 left arrow 15.3
  • 写入速度，GB/s
    9.2 left arrow 7.0
  • 内存带宽，mbps
    19200 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • 时序/时钟速度
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2323 left arrow 2276

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB RAM的比较

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB RAM的比较

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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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最新比较

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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
内存RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
内存RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
内存RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
内存RAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
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内存RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
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内存RAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
内存RAM
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
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SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
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内存RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
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内存RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
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内存RAM
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
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Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
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内存RAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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内存RAM