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ASint Technology SLA304G08-GGNHM 4GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
比较
ASint Technology SLA304G08-GGNHM 4GB vs Kingston KYXC0V-MIH 16GB
总分
ASint Technology SLA304G08-GGNHM 4GB
总分
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
ASint Technology SLA304G08-GGNHM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
34
左右 12% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.1
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
ASint Technology SLA304G08-GGNHM 4GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
34
读取速度,GB/s
12.3
14.0
写入速度,GB/s
7.2
8.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2005
2365
ASint Technology SLA304G08-GGNHM 4GB RAM的比较
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
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