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ASint Technology SLA304G08-GGNHM 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
比较
ASint Technology SLA304G08-GGNHM 4GB vs Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
总分
ASint Technology SLA304G08-GGNHM 4GB
总分
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
ASint Technology SLA304G08-GGNHM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
36
左右 17% 更低的延时
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.6
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
ASint Technology SLA304G08-GGNHM 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
36
读取速度,GB/s
12.3
13.6
写入速度,GB/s
7.2
9.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2005
2227
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
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