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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
比较
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
总分
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
51
左右 49% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.4
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
51
读取速度,GB/s
12.6
15.7
写入速度,GB/s
9.5
10.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2174
2597
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB RAM的比较
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
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