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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
比较
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
总分
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
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更快的读取速度,GB/s
19.4
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
26
读取速度,GB/s
12.6
19.4
写入速度,GB/s
9.5
15.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2174
3648
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB RAM的比较
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
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