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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
比较
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
总分
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
总分
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
42
左右 38% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.3
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
42
读取速度,GB/s
12.6
14.3
写入速度,GB/s
9.5
11.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2174
2074
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
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