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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
比较
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs V-GEN D4H16GS24A8 16GB
总分
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
总分
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.5
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
26
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.5
12.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
23
读取速度,GB/s
12.6
14.5
写入速度,GB/s
9.5
7.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2174
2361
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB RAM的比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Super Talent SUPERTALENT 2GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
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