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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
比较
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB vs Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
总分
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
总分
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
28
左右 -27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.9
11.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
6.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
22
读取速度,GB/s
11.1
15.9
写入速度,GB/s
6.5
9.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2113
2611
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB RAM的比较
Mushkin 992018 (997018) 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
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