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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
比较
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
总分
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
总分
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.6
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.2
6.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
28
读取速度,GB/s
12.8
13.6
写入速度,GB/s
6.7
9.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
2625
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KDK8NX-MIE 16GB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
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