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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
比较
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
总分
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
总分
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
32
左右 16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.8
11.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.7
6.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
32
读取速度,GB/s
12.8
11.8
写入速度,GB/s
6.7
8.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
2585
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB RAM的比较
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Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905630-039.A00G 16GB
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Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
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