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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
比较
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
总分
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
总分
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
38
左右 29% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.8
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
6.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
38
读取速度,GB/s
12.8
14.8
写入速度,GB/s
6.7
12.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
2825
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R748G2400U2S 8GB
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