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Corsair CM2X1024-6400 1GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
比较
Corsair CM2X1024-6400 1GB vs Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
总分
Corsair CM2X1024-6400 1GB
总分
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM2X1024-6400 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
20
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,254.8
17.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
54
左右 -184% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM2X1024-6400 1GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
19
读取速度,GB/s
4,715.6
20.0
写入速度,GB/s
2,254.8
17.5
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
857
3499
Corsair CM2X1024-6400 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
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