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Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
比较
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB vs Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
总分
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
总分
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
54
左右 -170% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.3
1,973.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
20
读取速度,GB/s
4,967.4
17.9
写入速度,GB/s
1,973.5
14.3
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
776
3127
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
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Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
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