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Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
比较
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
总分
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
总分
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
54
左右 -69% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.6
1,973.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
32
读取速度,GB/s
4,967.4
15.9
写入速度,GB/s
1,973.5
10.6
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
776
2240
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
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