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Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
比较
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB vs Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
总分
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
总分
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,034.7
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
48
左右 -85% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
26
读取速度,GB/s
4,295.1
17.9
写入速度,GB/s
2,034.7
14.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
650
3705
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
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Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
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