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Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
比较
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
总分
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
总分
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
41
48
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
7.7
4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.6
2,034.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
41
读取速度,GB/s
4,295.1
7.7
写入速度,GB/s
2,034.7
7.6
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
650
1855
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
SK Hynix HMT325U6EFR8C-PB 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
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