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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
比较
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
总分
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
总分
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
32
左右 38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
17.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
12.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
32
读取速度,GB/s
19.1
17.5
写入速度,GB/s
13.1
12.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3252
3103
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
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Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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