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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
比较
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
总分
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
总分
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
29
左右 31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
16.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
13.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
29
读取速度,GB/s
19.1
16.2
写入速度,GB/s
13.1
13.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3252
3221
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
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