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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
比较
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
总分
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
总分
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
35
左右 43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
15.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
11.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
35
读取速度,GB/s
19.1
15.7
写入速度,GB/s
13.1
11.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3252
2767
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
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