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Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
比较
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB vs Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
总分
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
总分
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
33
左右 27% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.5
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
12.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR5
DDR4
PassMark中的延时,ns
24
33
读取速度,GB/s
13.4
18.5
写入速度,GB/s
12.4
13.8
内存带宽,mbps
19200
25600
Other
描述
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
no data / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
3436
3341
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB RAM的比较
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
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Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
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