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Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
比较
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB vs Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
总分
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
总分
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
33
左右 27% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.5
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
12.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR5
DDR4
PassMark中的延时,ns
24
33
读取速度,GB/s
13.4
18.5
写入速度,GB/s
12.4
13.8
内存带宽,mbps
19200
25600
Other
描述
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
no data / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
3436
3341
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
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