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Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
比较
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB vs Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
总分
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
总分
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
35
左右 31% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.4
10.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.5
13.4
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR5
DDR4
PassMark中的延时,ns
24
35
读取速度,GB/s
13.4
13.5
写入速度,GB/s
12.4
10.3
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
no data / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3436
2155
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB RAM的比较
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
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Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB RAM的比较
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
takeMS International AG TMS2GB364E081139EM 2GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
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