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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
比较
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
总分
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
总分
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16
11
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
8.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
34
左右 -10% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
31
读取速度,GB/s
16.0
11.0
写入速度,GB/s
10.3
8.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2782
2271
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB RAM的比较
Corsair CMD16GX3M2A1600C9 8GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
A-DATA Technology AM1L16BC8R2-B1NS 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
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