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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
比较
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
总分
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
总分
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
37
左右 8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
9.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
37
读取速度,GB/s
16.0
13.9
写入速度,GB/s
10.3
9.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2782
2389
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
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