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Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
比较
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB vs Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
总分
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
总分
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.6
16.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
12.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
25
左右 -9% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
23
读取速度,GB/s
18.6
16.6
写入速度,GB/s
12.9
12.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3236
2689
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
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