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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
比较
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
总分
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
总分
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
36
左右 22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.5
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.8
9.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
36
读取速度,GB/s
13.5
10.4
写入速度,GB/s
9.3
12.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2278
2587
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB RAM的比较
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin 992015 (997015) 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
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