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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
比较
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
总分
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
总分
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
28
左右 -47% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.7
13.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.4
9.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
19
读取速度,GB/s
13.5
20.7
写入速度,GB/s
9.3
16.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2278
3724
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
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