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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
比较
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs Kingston 9965589-026.D00G 8GB
总分
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
总分
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
35
左右 20% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.5
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.3
6.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
35
读取速度,GB/s
13.5
9.4
写入速度,GB/s
9.3
6.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2278
2116
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
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