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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
比较
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs Kingston KY7N41-MIE 8GB
总分
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
总分
Kingston KY7N41-MIE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
33
左右 15% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston KY7N41-MIE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
13.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
9.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
33
读取速度,GB/s
13.5
16.2
写入速度,GB/s
9.3
12.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2278
2948
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB RAM的比较
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin 992015 (997015) 4GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
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