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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
比较
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
总分
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
31
左右 10% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.3
9.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.1
13.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
31
读取速度,GB/s
13.5
14.1
写入速度,GB/s
9.3
9.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2278
2640
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
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Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
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