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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
比较
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
总分
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
总分
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
52
左右 46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.5
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.3
7.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
52
读取速度,GB/s
13.5
10.4
写入速度,GB/s
9.3
7.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2278
2384
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB RAM的比较
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin 992015 (997015) 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
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