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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
比较
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
总分
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
总分
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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需要考虑的原因
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
28
左右 -22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
13.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
9.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
23
读取速度,GB/s
13.5
16.4
写入速度,GB/s
9.3
14.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2278
2978
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB RAM的比较
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston KHX16 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
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