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Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
比较
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB vs Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
总分
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
总分
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
差异
规格
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
36
左右 -24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
14.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
13.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
29
读取速度,GB/s
14.5
17.9
写入速度,GB/s
13.0
14.6
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3192
3618
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB RAM的比较
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Samsung M392B1K70DM0-YH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8HTF12864HZ-800H1 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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