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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
比较
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
总分
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
总分
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
58
左右 29% 更低的延时
需要考虑的原因
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.3
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
58
读取速度,GB/s
13.9
16.3
写入速度,GB/s
8.5
12.2
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2385
2591
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB RAM的比较
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Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
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