RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB

总分
star star star star star
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

总分
star star star star star
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB

SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB 需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    26 left arrow 55
    左右 53% 更低的延时
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB 需要考虑的原因
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    16 left arrow 12.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.9 left arrow 9.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    25600 left arrow 10600
    左右 2.42 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    26 left arrow 55
  • 读取速度，GB/s
    12.8 left arrow 16.0
  • 写入速度，GB/s
    9.0 left arrow 12.9
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2143 left arrow 2699

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较

Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB

SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB RAM的比较

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较