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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
比较
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
总分
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
总分
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
41
左右 -46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
28
读取速度,GB/s
13.9
18.2
写入速度,GB/s
8.5
14.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2385
3633
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
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