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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
比较
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
总分
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
总分
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
41
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
31
读取速度,GB/s
13.9
16.0
写入速度,GB/s
8.5
12.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2385
2761
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
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Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
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