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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
比较
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
总分
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
差异
规格
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
41
左右 -71% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
24
读取速度,GB/s
13.9
15.1
写入速度,GB/s
8.5
10.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2385
2601
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
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