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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
比较
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
总分
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
差异
规格
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差异
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
41
左右 -46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
28
读取速度,GB/s
13.9
17.3
写入速度,GB/s
8.5
13.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2385
3325
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
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