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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
比较
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
总分
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
41
左右 -64% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
25
读取速度,GB/s
13.9
16.2
写入速度,GB/s
8.5
12.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2385
3187
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
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Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
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